Warszawski CEZAMAT PW częścią linii pilotażowej w ramach European Chips Act

Chips JU (Chips Joint Undertaking) zakończyło ewaluację projektów na linie pilotażowe w ramach European Chips Act. Częścią jednej z czterech europejskich linii pilotażowych będzie w zakresie zaawansowanych technologii półprzewodnikowych ośrodek CEZAMAT PW.

Projekt FAMES – FD-SOI Pilot Line for Applications with embedded non-volatile Memories, RF, 3D integration and PMIC, to ensure European Sovereignty ma na celu uruchomienie linii pilotażowej oraz opracowywanie i rozwój technologii FD-SOI 10 nm i 7 nm. Technologia ta jako jedyna powstała w całości w Unii Europejskiej i z tego względu jest strategiczna dla rozwoju przemysłu półprzewodnikowego w Europie.

Linia pilotażowa będzie realizowana w konsorcjum, w którego skład wejdą europejskie jednostki badawcze i naukowe: CEA-Leti (lider konsorcjum), Imec, Instytut Fraunhofera, Tyndall National Institute, VTT Technical Research Centre, CEZAMAT PW, Université Catholique de Louvain, Silicon Austria Lab, INP Grenoble, SiNaNo oraz University of Granada.

– Fakt zaproszenia CEZAMAT do współpracy w tak elitarnym gronie, nad doskonaleniem technologii FD-SOI świadczy o międzynarodowym uznaniu kompetencji i pozycji, jaką udało się wypracować w ciągu kilku lat działalności ośrodka – komentuje prof. Romuald Beck, Pełnomocnik ds. Projektów Strategicznych.

Centrum Zaawansowanych Materiałów i Technologii CEZAMAT Politechniki Warszawskiej będzie zaangażowane w prace związane z projektowaniem układów scalonych, technologią pamięci półprzewodnikowych oraz demonstracją ich potencjału w zakresie AI i bezpieczeństwa układów scalonych. Prace będą dotyczyć m.in. projektowania układów scalonych i testowania modułów PDK w celu dostarczenia narzędzi niezbędnych do projektowania i optymalizacji projektu układów scalonych i technologii.

– Projekt FAMES jest doskonałą okazją, aby wykorzystać możliwości laboratoriów CEZAMAT PW – opowiada dr Piotr Wiśniewski, kierownik Działu Inteligentnych Systemów Półprzewodnikowych SEMINSYS. – Jesteśmy jedynym miejscem w Polsce o tak zaawansowanych możliwościach badawczych. Posiadamy wysoko wyspecjalizowaną kadrę zarówno w procesach związanych z projektowaniem, jak również mamy ogromne doświadczenie w zakresie wytwarzania struktur i przyrządów półprzewodnikowych, które mają potencjał aplikacyjny.

Ponadto zespoły z Politechniki Warszawskiej będą zaangażowane w prace związane z opracowaniem technologii i testowaniem nieulotnych pamięci półprzewodnikowych typu OxRAM (ang. Oxide-based Resistive RAM). Opracowane przyrządy zostaną wykorzystane w zaprojektowanych i wytworzonych testowych układach nowej generacji na potrzeby AI oraz bezpieczeństwa sprzętowego układów scalonych.

Materiały prasowe